二本学霸直博香港城大，被质疑10篇SCI系“灌水”，本人回应
近日，徐州工程学院的本科生万仲禹连发10篇SCI，直博香港城市大学，被网友怀疑严重“灌水”，引发热议。根据徐州工程学院的介绍：万仲禹，2017级化学工程与工艺专业毕业生，被推荐至香港城市大学理论与计算物理专业直接攻读博士学位，并获得全额奖学金。
太阳能电池片常见缺陷处理
1、引言晶硅太阳能电池在制造过程中通常采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的光电转换效率，导致公司增加经济损失。
南京大学叶建东团队:β-Ga₂O₃垂直晶体管实现1310 V耐压
由南京大学叶建东教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张晓东研究员、香港大学张宇昊教授的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Nitrogen-graded electrostatic compensation for norm
智芯研报 | 一文看懂化合物半导体
化合物半导体性能优异，发展前景广阔。化合物半导体主要指砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半导体，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多。
PRL导读-2018年121卷23期
对基于变换的量子计算模型，作者证明：如果其经典成分仅限于模2线性且匹配约束适用于任何潜在的实体论，则强序列变换互文性对于非线性函数的确定性计算来说是必要且充分的。
(超)宽禁带功率半导体中的欧姆接触电阻：从基础物理到界面工程
近日，斯洛伐克科技大学Martin Weis团队在宽禁带与超宽禁带功率半导体欧姆接触电阻研究方面取得系统性进展。
场效应管：100周年
公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。2025年是场效应晶体管（FET）诞生100周年。晶体管于1947年12月由贝尔实验室，更准确地说是贝尔电话实验室（BTL）发明。2022-2023年，我们仍然对晶体管诞生75周年的纪念活动记忆犹新。