氮化镓，为何还被质疑？
而高压应用领域对氮化镓的要求更高，因此迄今为止，这些领域对氮化镓的潜力仍持怀疑态度。名古屋大学的 Tetsu Kachi 在一篇综述中指出，宽带隙半导体的临界电场 E c 可达硅的 10 倍。
(超)宽禁带功率半导体中的欧姆接触电阻：从基础物理到界面工程
近日，斯洛伐克科技大学Martin Weis团队在宽禁带与超宽禁带功率半导体欧姆接触电阻研究方面取得系统性进展。
GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警
广东工业大学张紫辉教授团队：GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警紫外线（UV）在杀菌消毒、光通讯、生物传感等领域应用广泛，但其高能量辐射也对人体健康构成严重威胁，可导致DNA损伤、皮肤老化甚至产生光性白内障等眼部疾病。
正向偏压应力下p-NiO/n-Ga₂O₃异质结势垒SBD性能退化的研究
南邮唐为华教授、郭宇锋教授&北邮李培刚教授&内蒙古大学团队：正向偏压应力下p-NiO/n-Ga₂O₃异质结势垒肖特基二极管性能退化的研究由南京邮电大学唐为华教授、郭宇锋教授、季学强副教授、北京邮电大学李培刚教授、内蒙古大学刘增研究员等人的研究团队在学术期刊IEEE TRANSAC
GaN功率器件与转换器架构在AI数据中心中的应用
宽禁带科技论|GaN功率器件与转换器架构在AI数据中心中的应用:效率、可靠性与部署路径。近日，北卡罗来纳大学夏洛特分校Donald Intal与Abasifreke Ebong在arXiv预印本平台发表综述论文“GaN Power Devices and Converter Architectures for AI Data Centers: Efficiency， Reliability， and Deployment Pathways”，系统分析了GaN功率器件在AI数据中心供电链各转换级中的应用价值。
SiC，还有一段路要走
从主要参与者那里，她看到了对“bridge工具”的浓厚兴趣，这种工具可以在 150 毫米处获得资格，然后在他们的建筑物完工后移至 200 毫米，她认为这将在 2024 年完成。
超禁带金刚石半导体的挑战、功率器件进展与新兴恶劣环境应用
核心结论:金刚石凭借其超宽禁带与高导热性，在高压、高温、强辐射等特种应用中潜力显著，但n型掺杂与规模化制造仍是其迈向主流功率半导体的关键瓶颈。