长江存储拟建第四座NAND工厂 国产设备占比目标冲刺七成

全球闪存芯片制造商长江存储正推进其产能布局的新一步。路透社援引知情人士透露，该公司计划在武汉建设第四座生产设施，该工厂将专注于制造其技术规格最高的NAND闪存芯片。这些芯片的存储单元垂直堆叠层数将突破300层大关，标志着其在存储密度上的进一步突破。

在供应链国产化方面，长江存储对新工厂提出了明确的指标要求。内部计划将国产设备采购比例设定为不低于60%，并力争提升至70%的高点。这一目标显著高于其目前第三座工厂的国产化水平，显示出海存储厂商正加速构建自主可控的制造体系，以应对复杂的外部环境。

对比来看，长江存储第三座工厂预计在今年晚些时候正式投产。根据现有数据显示，中国供应商在该工厂设备采购总量中的占比已超过50%。这意味着新工厂的国产化率将实现跳跃式增长，不仅巩固了国内供应链的地位，也反映了长江存储对本土设备商技术能力的信心正在逐步增强。

目前，该项目尚处于筹备阶段。长江存储预计将于明年启动新工厂的动工建设，但截至目前，公司仅与相关设备供应商进行了初步的技术与商务洽谈，尚未下达正式采购订单。这一时间线表明，最终的设备采购清单可能还会根据技术验证结果和供应能力进行调整，各方仍需在性能与稳定性上做好充分准备。

对于国内半导体设备行业而言，这一动向释放了积极信号。随着长江存储提升国产设备使用比例，北方华创、中微半导体等头部厂商有望直接受益。新增的国产化需求主要聚焦于芯片制造中的常规工艺环节，特别是晶圆清洗、机械抛光以及刻蚀等关键步骤，这些领域的设备需求量大且技术相对成熟，是国产替代的突破口。

在技术进展层面，中国企业已在部分领域取得实质性突破。目前，国内厂商已经向长江存储供应了大部分晶圆清洗和抛光设备，满足了生产基本需求。更重要的是，在制造先进NAND芯片所必需的深层垂直结构设备方面，本土企业也取得了积极进展，逐步缩小了与国际顶尖水平的差距，为未来承担更高难度的制造任务奠定了基础。